全球第二大內(nèi)存芯片生產(chǎn)商、韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周四表示,將投資2.30億美元,在中國(guó)建立一家芯片生產(chǎn)廠,支持其與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)總投資達(dá)20美元的合作計(jì)劃,F(xiàn)代半導(dǎo)體在提交給韓國(guó)證交所的文件中稱,工廠將挨著其與意法半導(dǎo)體在中國(guó)成立的合資企業(yè)興建。
現(xiàn)代半導(dǎo)體,聯(lián)合意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)已經(jīng)開始在江蘇無錫投資建造一個(gè)存儲(chǔ)器前端制造工廠。新工廠主要用于生產(chǎn)DRAM和NAND閃存。這個(gè)工廠主要針對(duì)中國(guó)這塊世界發(fā)展最快的半導(dǎo)體市場(chǎng)。
現(xiàn)代半導(dǎo)體的發(fā)言人表示,新投資的這個(gè)工廠Hynix Semiconductor Wuxi將參與一部分合資企業(yè)的生產(chǎn)任務(wù),和在將來量產(chǎn)時(shí)加大芯片產(chǎn)能,F(xiàn)代和意法半導(dǎo)體Hynix-STMicro合作的第一條8英寸晶圓生產(chǎn)線今年7月可以投入使用,全部生產(chǎn)流程借鑒現(xiàn)代半導(dǎo)體在韓國(guó)的生產(chǎn)技術(shù),而12英寸晶圓生產(chǎn)線最快在2006年底投產(chǎn)。
現(xiàn)代半導(dǎo)體選擇在中國(guó)建廠好處不少,不單可以 避免受到韓國(guó)的出口限制和在日本、美國(guó)等地的懲罰性關(guān)稅,而且有利于節(jié)省公司成本和進(jìn)一步鞏固在中國(guó)市場(chǎng)的地位。就在今年1月20日, 為了回應(yīng)韓國(guó)政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體公司提供的低息融資補(bǔ)貼,日本就宣布將向出口到日本的現(xiàn)代半導(dǎo)體公司制造的DRAM儲(chǔ)存芯片征收27.2%的補(bǔ)償關(guān)稅,在美國(guó)現(xiàn)代也是受到這里懲罰性關(guān)稅的打壓。
消息公布后,現(xiàn)在半導(dǎo)體在韓國(guó)的股票市場(chǎng)走高,升0.65%到30,800韓元。